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三星全新microSD卡以高效能、大容量 開啟行動運算與智慧終端AI新紀元

科技

此為全球發布中譯新聞稿,實際產品上市資訊依各市場公告版本為準

 

全球先進記憶體技術領導品牌三星電子宣佈已啟動測試256GB(註一) SD Express(註二) microSD卡,其連續讀取速度高達每秒800 MB,而1TB(註三) UHS-1 microSD卡亦進入量產。隨著新一代microSD卡陣容亮相,三星展現為未來行動運算與智慧終端AI應用所需記憶體提供最佳解決方案的企圖心。

 

三星電子記憶體品牌產品業務團隊副總裁Hangu Sohn表示:「三星以兩款全新microSD卡,為行動運算和智慧終端AI與日俱增的記憶體需求,打造有效率的解決方案。儘管尺寸極小,新款記憶卡強大效能與超大容量近似SSD固態硬碟,幫助用戶最大化現今與未來行動裝置的運作效能。」

 

 

 

業界首款SD Express microSD卡,最高讀取速度可達800 MB/s

三星在SD Express介面上導入全新高效能的microSD卡,該項業界創舉源自三星與客戶合作開發客製產品的成功經驗。

 

三星SD Express microSD卡採用低功耗設計並優化韌體技術,具備絕佳的性能與溫度管理,尺寸雖小,卻擁有與固態硬碟相當的效能表現。採用UHS-1介面的傳統microSD卡讀取速度最高僅104 MB/s,SD Express則可將速度提升到985 MB/s;然而,將此項技術導入microSD的商業化運用直到現今才出現。

 

三星 SD Express microSD卡的連續讀取速度高達800 MB/s-是SATA SSD固態硬碟(最高560 MB/s)的1.4倍,同時也較傳統 UHS-1記憶卡(最高200 MB/s)快四倍以上,能提升各種設備-如個人電腦和行動裝置的運算效能。為確保小尺寸規格的效能穩定性,其採用三星的動態散熱保護(DTG)技術,即使長時間運作,亦能將SD Express microSD卡維持在最佳溫度。

 

 

 

1TB UHS-1 microSD卡採用最新型1Tb V-NAND

三星新款1TB microSD卡,將八層三星第八代1Tb V-NAND堆疊在小尺寸microSD卡內,如此規模的大容量記憶體封裝,過去技術只能實現於固態硬碟中。三星新款1TB microSD卡通過業界最嚴謹的測試,具有防水、耐極端溫度、防摔設計、防磨損保護、防 X光和防磁功能(註四),即便在嚴苛環境也能穩定使用。

 

 

產品上市資訊

256GB SD Express microSD卡將於本年度上市,1TB UHS-1 microSD卡預計在今年第三季推出。

 

 

註一:1吉位元組(GB)= 1,000,000,000位元組(10億位元組)。實際可用容量可能會有所不同。

註二:SD Express:新款採用PCIe Gen3x1介面(根據2019年2月公布的SD 7.1規範)的SD卡,傳輸速度理論值為985 MB/s。

註三:1兆位元組(TB)= 1,000,000,000,000 bytes(1萬億位元組)。實際可用容量可能會有所不同。

註四:對於任何因記憶卡救援而產生的數據損壞和資料遺失及其相關費用,三星不承擔法律責任。所聲稱的六種防護功能只適用於1TB UHS-1 microSD卡,不適用於256GB SD Express microSD卡。1公尺深度,鹽水,72小時。作業溫度-25℃至85℃(-13°F至185°F),非作業溫度-40℃至85℃(-40°F至185°F)。能承受標準機場X光機(最高100mGy)。磁場等同於高磁場磁振造影儀(最高15,000高斯)。可承受最高5公尺(16.4英呎)的掉落衝擊。最多10,000次摩擦。

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