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三星晶圓代工展現創新實力 助攻大數據、AI/ML及智慧連網裝置的未來發展

科技


全球先進半導體技術領導品牌三星電子,於2021年第五屆三星晶圓代工論壇(SFF)中,揭示以環繞式閘極(GAA)結構為基礎,針對3奈米及2奈米的持續製程技術遷移計劃。
 
本屆線上論壇以「擴展新維度」(Adding One More Dimension)為題,吸引全球2,000多名客戶及合作夥伴共襄盛舉。三星於此年度盛事中暢談願景,面對快速發展的晶圓代工市場,未來將提升製程技術、製造營運、代工服務等晶圓事業的各個環節,奠定屹立不搖的領導地位。
 

三星電子總裁暨晶圓代工事業部負責人Siyoung Choi博士表示:「三星將全面提高產能,以最先進的技術領航業界,並於矽晶堆疊技術上精益求精、持續展現應用層面的創新實力。COVID-19疫情加速數位轉型腳步,三星將與客戶及合作夥伴於適當時機提供創新技術,發掘矽晶應用的無限潛力。」
 

 

GAA蓄勢待發-3奈米將於2022年投入量產;2奈米訂於2025年

三星GAA專利技術-多橋通道場效電晶體FET(MBCFET),具備升級的功效和靈活設計優勢,對未來製程技術遷移至關重要。相較於5奈米製程,三星首度採用MBCFET的3奈米GAA節點,使晶片面積縮減35%、性能提升30%且功耗降低50%。除了優化功耗、性能和面積(PPA)外,隨著製程技術成熟,3奈米邏輯技術良率已逐漸趨近於量產中的4奈米製程。
 
三星預計於2022年上半年,生產首批基於3奈米技術設計的晶片,而第二代的3奈米晶片,則預計於2023年投入生產。三星技術路線圖的最新部署項目,採用MBCFET技術的2奈米製程節點,目前處於早期開發階段,預計將於2025年投入量產。
 

CIS、DDI、MCU適用FinFET – 17奈米專業製程技術登場

三星晶圓代工持續精進FinFET製程技術,以支援具成本效益及應用競爭力的專業產品。三星17奈米FinFET製程節點,堪稱其中的最佳實例。除了FinFET的固有優勢,該製程節點亦得益於3D電晶體架構,具備卓越的性能與能效。因此,與28奈米製程相比,三星17奈米FinFET可縮減43%面積、提升39%性能及49%能效。
 
此外,三星正積極推進14奈米製程,以支援3.3V高壓或快閃型嵌入式MRAM(eMRAM),進而提升寫入速度與密度,成為微控制器單元(MCU)、IoT與穿戴裝置等應用的絕佳選擇。三星8奈米無線射頻(RF)平台,可望進一步擴大其在5G半導體市場的領導地位,涵蓋sub-6GHz至mmWave毫米波應用。
 
2021年11月,三星將攜手生態圈合作夥伴,以線上虛擬方式舉辦三星晶圓代工SAFE論壇。
 

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