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三星2022 Tech Day寄望深化產業合作 推動記憶體與邏輯IC高速成長

科技

全球先進半導體技術領導品牌三星電子於2022年Samsung Tech Day展示一系列先進半導體解決方案,旨在驅動未來十年的數位轉型。三星自2017年起每年舉辦Tech Day,本次睽違三年,於聖荷西Signia by Hilton飯店以實體形式登場。

 

今年盛會吸引逾800位客戶與合作夥伴共襄盛舉,三星記憶體與系統半導體(System LSI)事業部負責人輪番發表演講,包括總裁暨記憶體事業部負責人Jung-bae Lee、總裁暨系統半導體事業部負責人Yong-In Park,以及三星執行副總裁暨裝置解決方案(DS)事業群美洲分部負責人Jaeheon Jeong,揭示三星最新技術進展與未來願景。

 

 

系統半導體事業部重要進展

上半場議程中,系統半導體事業部強調將妥善組合獨特且類型廣泛的產品陣容,創造最大綜效,朝「整體解決方案無晶圓廠」(total solution fabless)目標邁進。系統半導體事業部為三星電子旗下的無晶圓IC設計廠,供應約900項產品,涵蓋SoC(系統單晶片)、影像感光元件、數據機、面板驅動IC(DDI)、電源管理IC(PMIC)和安全解決方案。

 

系統半導體事業部除生產業界領先的單項產品,亦提供整合多種邏輯IC的整體解決方案,完整滿足客戶需求。

 

三星電子總裁暨系統半導體事業部負責人Yong-In Park表示:「身處機器需具備學習與思考能力的時代,扮演機器大腦、心臟、神經系統和雙眼的邏輯晶片,其重要性不可同日而語。三星將集結並整合嵌入在各種產品的技術,如SoC、感應器、DDI和數據機,以整體解決方案供應商之姿,引領第四次工業革命。」

 

▲三星電子總裁暨系統半導體事業部負責人Yong-In Park於Samsung Tech Day 2022發表主題演講。

 

 

晶片終極願景:媲美人腦

第四次工業革命是系統半導體事業部在Tech Day的報告重點。三星生產之邏輯晶片,是促成第四次工業革命的三大特徵-超智慧(Hyper-Intelligence)、超連結(Hyper-Connectivity)與超巨量資料(Hyper-Data)的物理基礎。三星電子致力提升邏輯晶片效能,以達媲美人類執行工作的相同水準。

 

為實現此願景,系統半導體事業部從NPU(神經處理單元)、數據機等核心IP著手升級,並攜手全球領導廠商,研發新世代CPU(中央處理器)與GPU(繪圖處理單元)。

 

與此同時,事業部持續投入研發超高解析度影像感光元件,使晶片能和人眼一樣捕捉影像,亦規劃打造五感兼具的感應器。

 

 

揭曉新世代邏輯晶片

三星電子於Tech Day首次曝光多款先進邏輯晶片,包括5G Exynos Modem 5300、Exynos Auto V920和QD OLED DDI等,為手機、家電與汽車等各產業的關鍵零組件。

 

大會亦展示多款今年新推出或發表的晶片產品,如旗艦行動處理器Exynos 2200,以及業界最小0.56微米200MP ISOCELL HP3影像感光元件。Exynos 2200採用最先進4奈米EUV(極紫外光)製程,結合頂尖的行動、GPU與NPU技術打造而成,提供智慧型手機用戶最極致的體驗。ISOCELL HP3單位畫素尺寸較前一代(0.64微米)縮小12%,使相機模組表面積得以縮減約20%,以利手機客戶打造纖薄的旗艦裝置。

 

在介紹ISOCELL HP3時,三星同步向觀眾展示具備200 MP感光元件相機所拍出的絕美影像。另秀出專為生物辨識信用卡設計的指紋安全IC,其由指紋辨識器、安全元件(SE)和安全處理器組合而成,讓信用卡多一層身分驗證與安全機制保護。

 

 

記憶體事業部重要進展

在三星引領DRAM與NAND Flash市場分別邁入30年與20年之際,記憶體事業部於本次大會揭曉第五代10奈米級(1b)DRAM,及第八代和第九代V-NAND,並誓言於未來十年中,持續提供首屈一指的記憶體產品組合。

 

三星亦強調將加強合作,以更高韌性應對產業新挑戰。

 

三星電子總裁暨記憶體事業部負責人Jung-bae Lee表示:「三星投入記憶體40餘年,至今已生產一兆GB的記憶體晶片,其中約半數集中於過去三年,可見數位轉型的速度相當驚人。隨著記憶體頻寬、容量與能源效率續增,新平台應運而生,並催生更多半導體創新,三星將加強整合,朝數位共演化(coevolution)目標邁進。」

 

▲三星電子總裁暨記憶體事業部負責人Jung-bae Lee於Samsung Tech Day 2022發表主題演講。

 

 

DRAM解決方案助攻資料智慧化

三星現今著手研發的1b DRAM計劃於2023年量產。為突破10奈米技術關卡,三星積極導入顛覆性的圖案化(patterning)製程、材料與架構,在High-K新材料的進展亦相當順利。

 

接著介紹即將推出的32Gb DDR5 DRAM、8.5Gbps LPDDR5X DRAM和36Gbps GDDR7 DRAM等解決方案,將為資料中心、高效能運算(HPC)、行動、遊戲與車用科技市場解鎖新應用。

 

除了一般DRAM晶片,三星亦看準HBM-PIM、AXDIMM和CXL等客製化解決方案將驅動系統層級的創新,可更有效應對全球資料的爆炸式成長。

 

 

2030年內推出1000+V-NAND

自十年前問世,三星V-NAND技術已演進至第八代,層數是第一代的10倍,位元來到15倍。最新512Gb第八代V-NAND的位元密度提高42%,為迄今512Gb三層儲存單元(TLC)產品之最。目前計劃2022年底出貨業界最高容量1Tb TLC V-NAND。

 

三星並提及已在研發第九代V-NAND,目標2024年量產。並將於2030年研發1000層以上產品,以支援未來資料密集的技術應用。

 

隨著AI和大數據應用發展,客戶對記憶體速度與容量的要求也更高,三星將加速轉進四層單元(QLC),衝高位元密度,同時持續優化能源效率,協助全球客戶擴大落實永續經營。

 

 

藉由深化合作擴增解決方案量能

三星儲存解決方案涵蓋資料中心、企業級伺服器、行動、客戶端、消費級與車用等領域,產品組合無所不包。事業部強調,其高效能、低功耗的AI最佳化運算型儲存產品,將協助客戶跟上綠色運算趨勢。三星亦展示全新PM9C1a無DRAM固態硬碟(SSD),同時支援PCIe 4.0和5.0。

 

三星隨後分享其智慧移動藍圖,充分展現引領產業發展的企圖心。其車用記憶體品項完備,滿足現今汽車的多樣化功能,例如車載資訊娛樂系統(In-vehicle Infotainment,IVI)、自動駕駛(Autonomous Driving,AD)、先進駕駛輔助系統(Advanced Driver Assisted Systems,ADAS)、儀表板、閘道器和車載資通訊系統。自2015年跨入車用記憶體以來,三星的市占率快速上升,目標2025年成為全球最大車用記憶體廠商。

 

最後,三星重申,其首要目標是為客戶創造更高價值,以客戶導向為研發哲學,並強調將致力拓展生態圈合作的企圖心。為了擴大開放創新的規模與影響力,三星揭示強化與客戶合作的關鍵發展方針-設立三星記憶體研究中心(Samsung Memory Research Center,SMRC),客戶與合作夥伴可在此以多樣化的伺服器情境,測試與驗證三星記憶體和軟體解決方案。該中心將在2022年第四季於韓國率先啟用,未來計劃與Red Hat和Google Cloud等生態圈夥伴合作,於美國和其他市場設立據點

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