Western Digital 公司宣佈已成功開發出第二代 4-bits-per-cell 3D NAND架構。專為 Western Digital 96 層 BiCS4 產品導入的 QLC 技術,已成功製成業界最高的單顆粒3D NAND 并提高其單一儲存容量至 1.33 Tb (Terabits)。
Western Digital 1.33Tb – 4-bits-per-cell 96 層架構 3D NAND 開始送樣
BiCS4 是 Western Digital 與合作夥伴東芝記憶體(Toshiba Memory Corporation) 於日本四日市合資設立之快閃記憶體製造廠區研發，目前已開始送樣（sampling），預計今年量產出貨，並於旗下 SanDisk 品牌之消費性產品率先使用。Western Digital 希望 BiCS4 應用能擴展至由零售至企業級 SSD 市場等各種領域。
Western Digital 矽晶片技術與製造部門 (Silicon Technology and Manufacturing) 執行副總裁 Siva Sivaram 博士表示:「藉由 Western Digital 在矽晶片處理、裝置工程和系統整合等方面的能力，QLC 技術能提供 16 個不同單元閾值電壓來進行數據讀取和儲存。此次 BiCS4 QLC 是我們以前 一代應用在 64 層 BiCS3 的 QLC 架構基礎上優化而成的第二代 four-bits-per-cell 產品。具備
NAND 產品中最佳內在成本結構之餘，更突顯我們在快閃記憶體創新技術開發的實力，能為客 戶的數據進一步在零售、行動、嵌入式、客戶端及企業級等應用環境下持續發展。我們預期此4-bits-per-cell 技術將在上述所有應用中成為主流。」
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