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三星量產2G RAM 20nm 4Gb LPDDR2

商業
新的20nm工藝4Gbit LPDDR2內存顆粒更薄:四顆粒堆疊封裝組成的一塊2GByte LPDDR2內存厚度為0.8mm,比之前30nm工藝的LPDDR2芯片少20%,傳輸速度最高同為1066Mbps(即頻率1066MHz)。 三星希望新的20nm工藝4Gb LPDDR2顆粒能迅速取代目前智能手機上廣泛使用的30nm 2Gb LPDDR2產品。同為1GB容量方案,新的20nm 4Gb顆粒只需2塊堆疊而舊的2Gb產品需要4塊。  
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