Western Digital iNAND MC EU521，超速應對 5G 時代行動應用

Western Digital Corporation (NASDAQ: WDC)最近推出一款新嵌入式通用快閃記憶體儲存（UFS, Universal Flash Storage）設備——Western Digital® iNAND® MC EU521，借此大大提升5G 智能手機用戶體驗。 作為最早支援實現UFS3.1 規範中Write Booster 特性的供應商，Western Digital 是業界第一批提供針對5G 應用的UFS3.1 快閃記憶體方案。

Western Digital iNAND MC EU521嵌入式快閃記憶體設備幫助流動開發人員充分利用UFS 3.1高頻寬儲存介面（Gear 4 / 2  Lanes）和SLC NAND緩存，提供高達800MB/s[1]的順序寫入速度，能有效增強使用者在下載4K/8K媒體、從雲端傳輸較大的檔案和遊戲時的應用體驗。 Western Digital iNAND MC EU521將於3月推出，提供128GB 和256GB兩個儲存容量版本[2]。

Western Digital高級副總裁兼汽車、流動和新興營業單位事業部總經理Huibert Verhoeven表示：「現在，智能手機作為經常和主要使用的計算裝置，用於觀看影片、播放音樂、打遊戲機和拍攝，以及還可用於支付和設有地圖瀏覽等各種功能，因此對性能和容量提出了更高要求。 採用Write Booster的iNAND MC EU521具有SLC緩存，與5G技術相結合應用，期望帶來更快的電影下載速度，為用戶帶來多個關鍵性能的改進。 高速下載以及多個其他主要功能使EU521成為現時行動裝置製造商的理想選擇。 」

全球領先的技術調研公司Omdia（由Ovum、Heavy Reading和Tractica合併建立的資訊技術與後來收購的IHS Markit技術調研部門的整合公司）記憶體和儲存高級總監Craig Stice表示：「Western Digital為5G應用添加了增強寫入功能和改進後的緩存功能，這得益於對全新JEDEC儲存標準UFS 3.1的實施，同時有助於加快智能手機的下載速度和大檔案的儲存速度，並支援其他的數據密集型應用。 Western Digital期望盡快實現UFS3. 1的產品，提供予行動裝置製造商成熟的解決方案。 」

[1] 在用於表示傳輸速率時，兆字節/秒（MB/s）= 每秒一百萬字 節。性能隨用戶的硬件和軟件組件及配置的不同而異。

[2] 用於表示儲存容量時，1GB = 10 億位元組，1TB = 1 萬億位元組。用戶獲得的實際容量可能會低於這些數值，具體取決於操作環境。

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