全球先進記憶體技術領導品牌三星電子宣布，已成功開發業界首款採用12奈米製程技術打造的16 GB DDR5 DRAM，並攜手AMD完成產品的相容性評估。
三星電子DRAM產品與技術執行副總裁Jooyoung Lee表示：「三星12奈米級DRAM將成為提升DDR5 DRAM市場普及率的關鍵動力。新款DRAM具備卓越的性能與能效，可望為新世代運算、數據中心、AI驅動系統等領域的永續營運奠定基石。」
AMD資深副總裁兼任企業研究員暨客戶、運算與繪圖技術長Joe Macri表示：「創新有賴於同業夥伴的密切合作，攜手推動技術發展。我們很高興與三星再次合作，尤其是推出在『Zen』平台上經過優化與驗證的DDR5記憶體產品。」
此項技術進展的成功關鍵，在於採用可提升電池電容量的新型高介電（high-k）材料，以及可改善關鍵電路特性的專有設計技術。新款DRAM整合先進、多層極紫外光（EUV）微影製程，並具備業界最高的裸晶密度，可使晶圓生產率提升20%。
採用最新DDR5標準的優勢下，三星12奈米級DRAM可提供高達7.2 Gbps的傳輸速度。經換算，相當於能在1秒內處理兩部30 GB檔案大小的UHD電影。
新型DRAM的驚人處理速度，與更上層樓的能效表現相得益彰。相較於上一代DRAM產品，12奈米級DRAM可減少高達23%的功耗，是積極朝永續經營的全球IT企業的首選解決方案。
隨著2023年進入量產階段，三星將持續與同業夥伴攜手前行，擴大以此先進12奈米製程技術打造的DRAM產品陣容，並將產品線進一步延伸至其它市場，以因應新世代運算的快速發展。
