新產品組合以創新蝕刻技術與化學方法超越競爭對手，支援先進邏輯與記憶體解決方案的開發
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加州佛利蒙市2022年2月10日 /美通社/ -- 科林研發公司（Lam Research Corp.）（那斯達克股票代號：LRCX）宣布推出全新選擇性蝕刻產品系列，這些產品應用開創性晶圓製造技術與新興的化學方法，以支援晶片製造商開發環繞式閘極（GAA）電晶體結構。 Lam 的選擇性蝕刻解決方案是由三款新產品——Argos®、Prevos™ 及 Selis®所組成，可為設計與製造先進邏輯和記憶體半導體提供強大優勢。
實現超高選擇性蝕刻和3D結構從上至下的均勻製程控制。
提供獨特的多層選擇性蝕刻、改善佇列時間控制，並最大化生產靈活性。
隨著現代技術與元件的不斷發展，為提高性能與效率，對更高元件密度之需求也隨之增加。為跟上摩爾定律，晶片製造商現正開發垂直電晶體結構。這是極其複雜的製程，需要在不改造或損壞其他關鍵材料層的同時達到超高選擇性、更精密的均勻及等向性蝕刻。
Lam 的選擇性蝕刻解決方案提供超高可調控選擇性與材料無損去除，使晶片製造商在先進邏輯奈米層片或奈米線應用，以及DRAM 面臨平面微縮極限時，能夠實現從平面到 3D 結構的下一步技術躍昇。
透過與世界上最具創新性的邏輯與晶圓代工廠合作開發，Lam 的選擇性蝕刻產品已被三星電子等業界領先的晶圓製造商所採用，以支援先進邏輯晶圓開發製程中的十多項關鍵步驟。
「半導體產業不斷朝著更強、更快的元件能力發展。 隨著元件密度與複雜性的顯著增加，選擇性蝕刻技術對於製造最先進的邏輯元件至關重要，」三星電子半導體研發中心主任Keun Hee Bai 博士表示。 「隨著全球對三星技術需求的持續飆升，我們也將繼續信賴選擇性蝕刻技術的廣泛創新與能力來強化生產過程，並加速朝先進邏輯 GAA 和更高技術的發展藍圖邁進。」
Lam 選擇性蝕刻解決方案由三項新產品組成：
- Argos採用革命性的 MARS™（介穩狀態活化自由基源）技術，可選擇性地改質與除汙晶圓表面。其開創性的處理技術與調節能力使晶片製造商得以精確處理晶圓表面，使晶圓最佳化，達到極致性能。
- Prevos 結合新興的化學方法、創新蒸氣技術及敏捷溫控，實現對氧化物、矽及金屬的原子層等級精密度之超高選擇性蝕刻。 Prevos 充分利用 Lam 新開發的專利化學技術，可添加其他化學物來支援晶片製造商的生產需求。
- Selis 採用獨特的自由基與熱蝕刻能力，在不損壞晶圓結構的情況下，實現超高選擇性蝕刻和3D結構從上至下的均勻製程控制。
- Prevos 與 Selis 亦可作為單一、整合的機台使用，以提供獨特的多層選擇性蝕刻、改善佇列時間控制，並最大化生產靈活性。
Lam Research 總裁暨執行長Tim Archer表示：「Lam Research 正推動支援晶片產業邁向 3D 結構所需的晶圓製造發展，並使下一代數位技術成為現實。40 多年來，Lam 在蝕刻創新方面一直領先業界。我們很榮幸能夠延續這項傳統，為現今市場的先進邏輯與記憶體技術提供最先進的選擇性蝕刻解決方案。」
關於 Lam Researchhttp://www.lamresearch.com/
科林研發股份有限公司（Lam Research Corporation）是為半導體產業提供創新晶圓製造設備和服務的全球供應商。身為全球領先半導體業者值得信賴的合作夥伴，我們結合優異的系統工程能力、技術領先地位、以及助力客戶成功的堅定承諾，透過提升元件效能來加速創新。事實上，今天，幾乎每一顆先進晶片都是利用Lam Research的技術來生產的。Lam Research是財富500大企業，總部設在加州佛利蒙市，營運遍佈全球。更多訊息，請造訪www.lamresearch.com. (LRCX-P)
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