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三星推出DDR5模組全新電源解決方案

科技

*此為全球發布中譯新聞稿,實際產品與其功能支援性依各市場公告版本為準*

 

 

全球先進半導體技術領導品牌三星電子,近日發表整合式電源管理晶片(PMIC)S2FPD01、S2FPD02與S2FPC01;為業界首款專為第五代雙倍資料率(DDR5)雙列直插式記憶體模組(DIMM)設計的晶片。

 

新一代DRAM解決方案的設計,不同於以往將PMIC放置於主機板上;而是將PMIC整合至記憶體模組。此技術突破可提高相容性與訊號完整性,並提供穩定的效能表現。

 

為提升性能效率與負載暫態響應(load-transient response), DDR5 PMIC搭載高效率混合閘極驅動器(hybrid gate driver),以及非同步雙相降壓(dual-phase buck)技術基礎的專屬控制架構。

 

此架構可供DC電壓降壓時,針對輸出負載電流變動進行快速暫態調適;同時因應調整轉換,將輸出電壓調節至接近穩定狀態。控制架構更具有脈衝寬度調變與脈衝頻率調變功能,可避免模式切換時出現延遲或故障。

 

三星電子系統半導體(System LSI)行銷部副總Harry Cho表示:「全新PMIC解決方案-S2FPD01、S2FPD02和S2FPC01,不僅效能升級,更可透過低漣波輸出電壓,將DDR5的性能優勢完整發揮;供資料中心、企業級伺服器與PC等有效處理複雜且需要大量記憶體的工作。」

 

 

專為DDR5 DIMM設計的PMIC解決方案中,S2FPD01和S2FPD02可透過其優異性能,滿足現今資料中心與企業級伺服器的即時運算需求,包括執行大量分析、機器學習與各項運算工作。而FPD01與FPD02則分別適用於低密度模組與高密度模組應用。

 

此外,全新PMIC解決方案以高效率混合閘極驅動器取代線性穩壓器(linear regulator),實現高達91%的能源效率。

 

S2FPC01則專為桌上型電腦和筆記型電腦設計;採用90奈米製程,以更小的封裝規格提供更敏捷的表現。

 

S2FPD01、S2FPD02與S2FPC01三款電源管理晶片樣品,目前已供三星客戶使用。

 

 

 

 

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