全球先進記憶體技術領導品牌三星電子宣佈，已開始量產業界密度居冠的1Tb TLC（Triple Level Cell）第八代垂直NAND（V-NAND），兌現在2022年快閃記憶體高峰會（Flash Memory Summit）與Samsung Memory Tech Day 2022許下的承諾。新型V-NAND亦具備史上最高的儲存容量1Tb，有望為全球的新世代企業伺服器系統，提供更大的儲存空間。
三星快閃記憶體產品與技術執行副總裁SungHoi Hur表示：「隨著市場於更高密度、更大容量記憶體的需求升溫，帶動V-NAND朝更高層數發展。三星運用先進的3D微縮技術壓縮表面積與高度，避免微縮過程常見的單元相互干擾。第八代V-NAND有助於滿足快速成長的市場需求，率先推出更多的差異化產品和解決方案，為未來記憶體的創新發展，奠定穩固根基。」
三星藉由大幅提升每片晶圓的位元產出量，達到業界最高的位元密度；第八代V-NAND採用最新的NAND快閃記憶體標準Toggle DDR 5.0介面*，最大輸入／輸出（I/O）速度每秒可達2.4Gb，較上一代提升1.2倍，預期可滿足PCIe 4.0及下一代PCIe 5.0的效能需求。
第八代V-NAND有望為記憶體配置奠定基石，助力擴展新世代企業伺服器的儲存容量，同時將觸角延伸，應用至對於可靠性要求特別嚴謹的汽車市場。
*編輯附註：Toggle DDR介面世代演進－1.0（133Mbps）、2.0（400Mbps）、3.0（800Mbps）、4.0（1,200Mbps）、5.0（2,400Mbps）。
