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三星開始量產業界位元密度最高的第八代垂直V-NAND

科技

全球先進記憶體技術領導品牌三星電子宣佈,已開始量產業界密度居冠的1Tb TLC(Triple Level Cell)第八代垂直NAND(V-NAND),兌現在2022年快閃記憶體高峰會(Flash Memory Summit)與Samsung Memory Tech Day 2022許下的承諾。新型V-NAND亦具備史上最高的儲存容量1Tb,有望為全球的新世代企業伺服器系統,提供更大的儲存空間。

 

三星快閃記憶體產品與技術執行副總裁SungHoi Hur表示:「隨著市場於更高密度、更大容量記憶體的需求升溫,帶動V-NAND朝更高層數發展。三星運用先進的3D微縮技術壓縮表面積與高度,避免微縮過程常見的單元相互干擾。第八代V-NAND有助於滿足快速成長的市場需求,率先推出更多的差異化產品和解決方案,為未來記憶體的創新發展,奠定穩固根基。」

 

三星藉由大幅提升每片晶圓的位元產出量,達到業界最高的位元密度;第八代V-NAND採用最新的NAND快閃記憶體標準Toggle DDR 5.0介面*,最大輸入/輸出(I/O)速度每秒可達2.4Gb,較上一代提升1.2倍,預期可滿足PCIe 4.0及下一代PCIe 5.0的效能需求。

 

第八代V-NAND有望為記憶體配置奠定基石,助力擴展新世代企業伺服器的儲存容量,同時將觸角延伸,應用至對於可靠性要求特別嚴謹的汽車市場。

 

 

*編輯附註:Toggle DDR介面世代演進-1.0(133Mbps)、2.0(400Mbps)、3.0(800Mbps)、4.0(1,200Mbps)、5.0(2,400Mbps)。

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