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迎向AI時代 三星領先業界量產QLC第九代V-NAND

科技

 

全球先進記憶體技術領導品牌三星電子宣佈已開始量產1Tb QLC(quad-level cell)第九代垂直NAND(V-NAND)。

 

繼今年4月領先業界投產TLC(triple-level cell)第九代V-NAND,三星再次獨步全球,量產QLC第九代V-NAND,鞏固其在高容量、高效能NAND快閃記憶體市場的領導地位。

 

 

三星電子執行副總裁暨快閃記憶體產品與技術負責人SungHoi Hur表示:「距離TLC版本投產僅四個月時間,QLC第九代V-NAND即順利啟動量產,三星以一應俱全的高階SSD解決方案,滿足AI時代的需求。隨著企業級SSD市場快速崛起,帶動AI應用需求強勁,我們將繼續透過QLC與TLC第九代V-NAND,鞏固三星在產業的領導地位。」

 

 

三星計劃擴大QLC第九代V-NAND的應用範疇,從旗下的消費性電子產品,延伸至行動通用快閃記憶體(UFS)、PC和伺服器SSD,造福雲端服務供應者在內的消費族群。

 

三星QLC第九代V-NAND技術登峰造極,集多項創新於一身:

 

  • 採用三星傲視群倫的通道孔蝕刻技術(Channel Hole Etching,以雙堆疊架構實現業界最高層數。借助TLC第九代V-NAND累積的技術經驗,優化儲存單元面積與周邊電路,位元密度較前代QLC V-NAND提升近86%。
  • 預設模具(Designed Mold)技術調整控制儲存單元的字線(WL)間距,確保層內、層與層之間的特性一致與最佳化。隨著V-NAND層數增加,該等特性愈發重要。相較於前代版本,該技術可提升近20%的資料保存效能,進一步強化產品的可靠性。
  • 借助預測程式(Predictive Program)技術預測、控制儲存單元的狀態變化,最小化不必要的操作。得益於該技術的大躍進,三星QLC第九代V-NAND寫入效能提升一倍,數據輸入/輸出速度提升60%。
  • 得益於低功耗設計(Low-Power Design,數據的讀取與寫入功耗,分別降低了約30%和50%。其透過僅感應必要位線(BL)的運作原理,減少驅動NAND儲存單元所需電壓,實現功耗最小化。
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